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解法2: 直接界と2次界

まず、線電流源からの放射界(1次界)を求め、 次に、円筒導体による散乱界(2次界)を円筒の境界条件などより決定する。

補助解(1次界)

$z$軸上に置かれた線電流源$I_0$からの放射界は、 放射条件と$\varphi $についての対称性を考慮して、

\begin{displaymath}\mbox{\large$\phi$}_1(\rho) = A H_{0}^{(2)}(k\rho) \end{displaymath}

と表すことができる。 ここで、$A$は波源の強さによって決まる定数である。

このときの磁界は、

\begin{eqnarray*}
H_\varphi ^{\mbox{\scriptsize {(1)}}}
&=& \frac{1}{j\omega\...
...\partial \rho}
\\
&=& -\frac{kA}{j\omega\mu}H_{1}^{(2)}(k\rho)
\end{eqnarray*}

と表される。 ここで、ベッセル関数の公式[III p.159(ii)]2.1

\begin{displaymath}{H_{0}^{(2)}}'(z)=-H_{1}^{(2)}(z) \end{displaymath}

を利用している。

特に、$k\rho\ll1$の場合には式(A.9)より、

\begin{displaymath}
H_\varphi ^{\mbox{\scriptsize {(1)}}}
\simeq
-\frac{2A}{\pi\omega\mu}\frac{1}{\rho}
,\quad(k\rho\ll1)
\end{displaymath}

と表される。

$\rho=0$のまわりで磁界 $H_\varphi ^{\mbox{\scriptsize {(1)}}}$を積分すると アンペアの公式より、

\begin{displaymath}
\lim_{\rho\to0}\int_0^{2\pi} H_\varphi ^{\mbox{\scriptsize {(1)}}}\rho\,d\phi
= I_0
,\quad(\rho\to0)
\end{displaymath}

となる。 この関係式に上の磁界の近似式を代入して整理すると、

\begin{displaymath}
A= -\frac{1}{4}\omega\mu I_0
\end{displaymath}

が得られる。

したがって、線電流源からの放射電界は

\begin{displaymath}
\mbox{\large$\phi$}_1(\rho) = -\frac{1}{4}\omega\mu I_0H_{0}^{(2)}(k\rho)
\end{displaymath} (2.4)

と表すことができる。

線電流源が($d,\ 0$)にある場合には、座標を移動して、

\begin{displaymath}
\mbox{\large$\phi$}_1(\rho,\varphi )
= -\frac{1}{4}\omega\mu I_0 H_{0}^{(2)}(kR)
\end{displaymath}


\begin{displaymath}
R = \sqrt{\rho^2 + d^2 - 2\rho d \cos\varphi }
\end{displaymath}

と表すことができる。

ここで、ベッセル関数の加法定理[III p.218]2.2を用いると

\begin{displaymath}
H_{0}^{(2)}(kR) = \sum_{n=0}^{\infty}
\epsilon_n H_{n}^{(2...
...{\tiny {$>$}}})J_n(k\rho_{\mbox{\tiny {$<$}}})
\cos n\varphi
\end{displaymath}

と書き換えられるので、
\begin{displaymath}
\mbox{\large$\phi$}^{(1)}(\rho,\varphi )
= -\frac{1}{4}\om...
...{\tiny {$>$}}})J_n(k\rho_{\mbox{\tiny {$<$}}})
\cos n\varphi
\end{displaymath} (2.5)

と表される。

円筒導体による散乱界

円筒導体による散乱界は波動方程式を満足し、 放射条件をも満たすので、 界の$\varphi $についての対称性を考慮して、

\begin{displaymath}
\mbox{\large$\phi$}^{\mbox{\scriptsize {(2)}}}(\rho,\varphi )
= \sum_{n=0}^{\infty}
A_n H_{n}^{(2)}(k\rho)\cos n\varphi
\end{displaymath} (2.6)

と展開できる。 ここで、$A_n$は展開係数であり、境界条件より決定する。

全電界は、円筒導体表面($\rho=a$)で境界条件

\begin{displaymath}
\mbox{\large$\phi$}(a,\varphi )
= \mbox{\large$\phi$}^{\mb...
...mbox{\large$\phi$}^{\mbox{\scriptsize {(2)}}}(a,\varphi )
= 0
\end{displaymath}

$\varphi $の値によらず満足する。

上の条件式に式(2.5),(2.6)を代入して、 整理すると、

\begin{eqnarray*}
\sum_{n=0}^{\infty}
[-\frac{1}{4}\omega\mu I_0
\epsilon_n H_{n}^{(2)}(kd)J_n(ka)
+ A_n H_{n}^{(2)}(ka)]
\cos n\varphi
= 0
\end{eqnarray*}

が得られる。 すべての$\varphi $について上式が成立することから

\begin{displaymath}
A_n =
\frac{1}{4}\omega\mu I_0
\epsilon_n
\frac{J_n(ka)}{H_{n}^{(2)}(ka)}
H_{n}^{(2)}(kd)
\end{displaymath}

が得られる。 したがって、
$\displaystyle \mbox{\large$\phi$}(\rho,\varphi )$ $\textstyle =$ $\displaystyle \mbox{\large$\phi$}^{\mbox{\scriptsize {(1)}}}(\rho,\varphi )+\mbox{\large$\phi$}^{\mbox{\scriptsize {(2)}}}(\rho,\varphi )$  
  $\textstyle =$ $\displaystyle -\frac{1}{4}\omega\mu I_0
\sum_{n=0}^{\infty}
\epsilon_n [
J_n(k\...
...o_{\mbox{\tiny {$<$}}})
]
H_{n}^{(2)}(k\rho_{\mbox{\tiny {$>$}}})
\cos n\varphi$ (2.7)

と表される。 ただし、

\begin{displaymath}
\rho_{\mbox{\tiny {$<$}}}= \rho,\quad
\rho_{\mbox{\tiny {$>$}}}= d,\qquad
(\rho<d)
\end{displaymath}


\begin{displaymath}
\rho_{\mbox{\tiny {$<$}}}= d,\quad
\rho_{\mbox{\tiny {$>$}}}= \rho,\qquad
(\rho>d)
\end{displaymath}

を意味する。

なお、式(2.5),(2.6)を個別に用いれば、

$\displaystyle \mbox{\large$\phi$}(\rho,\varphi )$ $\textstyle =$ $\displaystyle -\frac{1}{4}\omega\mu I_0 H_{0}^{(2)}(kR)
+\frac{1}{4}\omega\mu I...
...n\frac{J_n(ka)}{H_{n}^{(2)}(ka)}
H_{n}^{(2)}(kd)H_{n}^{(2)}(k\rho)\cos n\varphi$ (2.8)

とも表すことができる。


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T.Kinoshita 平成15年6月18日