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高周波近似
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誘電体を被覆した導体円筒と線電流源
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解法1: 固有関数展開
目次
解法2: ホイヘンスの原理の応用
式(
2.5
)より、
において線電流源からの放射界(1次界)は
と表すことができる。
円筒での散乱界(2次界)を
と表す。
このとき、全電界は
と表される。
誘電体表面(
)での
と
の 連続条件より、
が得られる。 この式を
,
について解けば展開係数が求まる。
T.Kinoshita 平成15年6月18日